中(zhōng)國電(diàn)科支撐河北(běi)打造第三代半導體(tǐ)創新發展高地-中(zhōng)國電(diàn)子科技集團有限公司

　　8月5日，河北(běi)省第三代半導體(tǐ)産業創新聯合體(tǐ)成立。該聯合體(tǐ)由中(zhōng)國電(diàn)科13所等15家第三代半導體(tǐ)領域相關核心企業、研究機構、院所聯合發起，着力打造河北(běi)省第三代半導體(tǐ)創新發展高地。

第三代半導體(tǐ)擁有較寬的禁帶寬度，更适合于制作高溫、高頻(pín)、抗輻射及大(dà)功率的電(diàn)子器件，在5G基站、新能源車(chē)、高鐵等領域有着很大(dà)應用潛力。國家“十四五”規劃和2035年遠景目标綱要都明确指出“支持碳化矽、氮化镓等寬禁帶半導體(tǐ)發展”。

　　13所較早在國内開(kāi)始碳化矽功率芯片和器件研究，具有國内領先的技術實力。立足河北(běi)，13所聚焦碳化矽功率芯片和器件産品研發生(shēng)産，率先建立了6英寸碳化矽器件工(gōng)藝平台，具備低壓到萬伏級碳化矽二極管、MOSFET、模塊的産品研發能力。

習近平總書(shū)記對河北(běi)充滿深情、寄予厚望，親自謀劃、親自部署、親自推動實施京津冀協同發展戰略，強調要集聚和利用高端創新資(zī)源，積極開(kāi)展重大(dà)科技項目研發合作，打造我(wǒ)國自主創新的重要源頭和原始創新的主要策源地。

中(zhōng)國電(diàn)科深入貫徹落實習近平總書(shū)記關于京津冀協同發展的一(yī)系列重要講話(huà)和重要指示批示精神，把河北(běi)作爲集團公司産業布局重點，搶抓數字經濟發展機遇，在第三代半導體(tǐ)等領域持續發力，不斷完善從材料到核心元器件的産業鏈關鍵環節布局，實現第三代半導體(tǐ)材料和關鍵元器件批量供給，更好服務地方經濟社會高質量發展。中(zhōng)國電(diàn)科董事長、黨組書(shū)記陳肇雄表示，要發揮好全産業鏈優勢，搶占技術創新“制高點”、擔當産業發展“領頭雁”、培育機制創新“試驗田”、打造行業人才“蓄水池”，有力支撐服務第三代半導體(tǐ)創新發展。

　　2022年，13所全面開(kāi)啓碳化矽産業發展年，推出一(yī)系列第三代半導體(tǐ)射頻(pín)芯片、電(diàn)力電(diàn)子芯片，在無線通信、新能源汽車(chē)等領域廣泛應用，爲加快打造第三代半導體(tǐ)産業鏈“鏈長”奠定堅實基礎。

同時，作爲國内碳化矽電(diàn)力電(diàn)子器件主要供應商(shāng)之一(yī)，13所堅持對标國際一(yī)線廠家，推進6-8英寸碳化矽MOSFET車(chē)規級芯片的規劃建設，與國内衆多一(yī)線整機廠商(shāng)建立了緊密合作關系，在推動産品國産化的進程中(zhōng)發揮了至關重要的作用。

氮化镓作爲另一(yī)種重要的第三代半導體(tǐ)材料，也是中(zhōng)國電(diàn)科在河北(běi)布局的重點。13所已在氮化镓領域開(kāi)發了包括氮化镓微波功率器件、微波功率單片集成電(diàn)路等千餘款産品，産品整體(tǐ)水平達到國際先進水平，效率、功率等部分(fēn)主要技術指标達到國際領先水平。

　　“在氮化镓射頻(pín)芯片領域，我(wǒ)們已經實現了從外(wài)延生(shēng)長、芯片設計、工(gōng)藝加工(gōng)、模塊設計、封裝測試等全産業鏈自主創新，并實現産品化。”技術人員(yuán)介紹。

目前，13所研制出通信基站用氮化镓射頻(pín)芯片系列上百款産品，産品性能及可靠性均達到國際先進水平，累計銷售近億隻，國内市場占有率達到40%，有力保障了我(wǒ)國5G基站的建設實施。

　　9月7日，經中(zhōng)央有關部門批準，13所更名爲中(zhōng)國電(diàn)科産業基礎研究院，瞄準國家急迫需要和長遠需求，系統整合集成電(diàn)路與核心元器件優勢資(zī)源，全力打好産業基礎高級化、産業鏈現代化攻堅戰，也将有力推動河北(běi)第三代半導體(tǐ)産業高質量發展。